在题图所示的射极输出器中,已知Rs=50Ω,RB1=100kΩ,RB2=30kΩ,晶体管的β=50,rbe=1kΩ,试求Au,ri和ro。
在题图所示的射极输出器中,已知Rs=50Ω,RB1=100kΩ,RB2=30kΩ,晶体管的β=50,rbe=1kΩ,试求Au,ri和ro。
在题图所示的射极输出器中,已知Rs=50Ω,RB1=100kΩ,RB2=30kΩ,晶体管的β=50,rbe=1kΩ,试求Au,ri和ro。
在图15-26的射极输出器中,已知RS=50Ω,RB1=100kΩ,RB2=30kΩ,RE=1kΩ,晶体管的β=50,rbe=1kΩ。试求Au,ri和ro。
如图15-44所示电路,已知UCC=20V,RB=120kΩ,RE=RL=3.6kΩ,β=100,静态时UCE=5.5V,RS=3kΩ(1)试求ri,Au,ro;(2)若RS=300Ω,求输出电阻ro;(3)若RS=30kΩ,求r0;(4)将(1),(2),(3)的计算结果作比较,说明射极输出器特点。
在下图所示的电路中,已知Rb=260kΩ,Re=RL=5.1kΩ,Rs=500Ω,VEE=12V,β=50。试求:(1)电路的Q点;(2)电压增益Av输入电阻Ri及输出电阻Ro;(3)若vs=200mV,求vo。
在图所示的差动放大电路中,已知:UCC=12V,UEE=6V,Rs=10kΩ,RB1=1.2MΩ,RB2=20kΩ,R=51Ω,RL的阻值忽略不计,T1和T2的β1=β2=50。
=1.6mA,求IE,和UCE和C点的电位Vc。
在题图所示(1)的网络中,已知:x1=0.3,x2=0.4,x3=0.6,x4=0.3,x5=0.5,x6=0.2。试求(1)各电源对短路点的转移电抗;(2)各电源及各支路的电流分布系数。
试确定图LP3-10所示P沟道EMOSFET电路中的RD、RS。要求器件工作在饱和区,且ID=0.5 mA,VDS=-1.5 V,VG=2 V。已知μpCoxW/(2l)=0.5 mA/V2,VGS(th)=-1 V,设λ=0。
在图题4.4.4所示的放大电路中,设信号源内阻RS=600Ω,BJT的β=50。(1)画出该电路的小信号等效电路;(2)求该电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro;(3)当vs=15mV时,求输出电压vo。
在题3-3图所示电路中,已知晶体管的rbb'、Cu、Cπ,Ri≈rbe。
填空:除要求填写表达式的之外,其余各空填入①增大、②基本不变、③减小。
(1) 在空载情况下,下限频率的表达式fL=______。当Rs减小时,fL将______;当带上负载电阻后,fL将______。
(2) 在空载情况下,若b-e间等效电容为,则上限频率的表达式fH=______;当Rs为零时,fH将______;当Rb减小时,gm将______,将______,fH将______。