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在图15-26的射极输出器中，已知RS=50Ω，RB1=100kΩ，RB2=30kΩ，RE=1kΩ，晶体管的β=50，rbe=1kΩ。试求Au，ri和ro。
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如图15-44所示电路，已知UCC=20V，RB=120kΩ，RE=RL=3.6kΩ，β=100，静态时UCE=5.5V，RS=3kΩ(1)试求ri，Au，ro；(2)若RS=300Ω，求输出电阻ro；(3)若RS=30kΩ，求r0；(4)将(1)，(2)，(3)的计算结果作比较，说明射极输出器特点。
在图所示的差动放大电路中，已知：UCC=12V，UEE=6V，Rs=10kΩ，RB1=1.2MΩ，RB2=20kΩ，R=51Ω，RL的阻值忽略不计，T1和T2的β1=β2=50。
试确定图LP3-10所示P沟道EMOSFET电路中的RD、RS。要求器件工作在饱和区，且ID=0．5 mA，VDS=-1．5 V，VG=2 V。已知μpCoxW／(2l)=0．5 mA／V2，VGS(th)=-1 V，设λ=0。
在题3-3图所示电路中，已知晶体管的rbb'、Cu、Cπ，Ri≈rbe。
填空：除要求填写表达式的之外，其余各空填入①增大、②基本不变、③减小。
(1) 在空载情况下，下限频率的表达式fL=______。当Rs减小时，fL将______；当带上负载电阻后，fL将______。
(2) 在空载情况下，若b-e间等效电容为，则上限频率的表达式fH=______；当Rs为零时，fH将______；当Rb减小时，gm将______，将______，fH将______。
在下图所示的电路中，已知Rb=260kΩ，Re=RL=5.1kΩ，Rs=500Ω，VEE=12V，β=50。试求：(1)电路的Q点；(2)电压增益Av输入电阻Ri及输出电阻Ro；(3)若vs=200mV，求vo。
在图题4.4.4所示的放大电路中，设信号源内阻RS=600Ω，BJT的β=50。(1)画出该电路的小信号等效电路；(2)求该电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro；(3)当vs=15mV时，求输出电压vo。
在单个电感元件的正弦交流电路中，L=100mH，f=50Hz
在图16-13的同相比例运算电路中，已知R1=2KΩ，RF=10kΩ，R2=2kΩ，R3=18kΩ，ui=1V，求uo。
在图所示铰链四杆机构中，已知lBC=500mm，lCD=350mm，lAD=300mm，AD为机架。试问：
若此机构为双摇杆机构，求lAB的范围。
