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试确定图LP3-10所示P沟道EMOSFET电路中的RD、RS。要求器件工作在饱和区，且ID=0．5 mA，VDS=-1．5 V，VG=2 V。已知μpCoxW／(2l)=0．5 mA／V2，VGS(th)=-1 V，设λ=0。
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