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[主观题]

求出硅缓变PN结空间电荷区电场分布及其宽度的函数表达式。

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第1题

PN结加正向电压时，空间电荷区将()。

A.变窄

B.基本不变

C.变宽

D.以上都不正确

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第2题

在足够能量的光照条件，晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下，N区的（）向P区运动，P区的（）向N区运动。

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第3题

在足够能量的光照条件，晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下，N区的什么向P区运动，P区的什么向N区运动？

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第4题

PN结是构成各种半导体器件的基础，其主要特性是()。

A.具有放大特性

B.具有单向导电性

C.具有改变电压特性

D.具有増强内电场特性

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第5题

设计与生产一种最简单的硅双极型PN结隔离结构的集成电路，需要（）、（）、（）、（）、（）、反刻铝电极等六次光刻。

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第6题

关于半导体二极管的主要参数，下列说法不正确的是()。

A.最大整流电流：管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流

B.正向压降：二极管正向导通后的压降，一般情况，硅管的正向压降为0.2V左右

C.反向电流：指管子未击穿时的反向电流，这个值越小，管子的单向导电性越好

D.极间电容：PN结存在扩散电容和势垒电容，极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数，它是扩散点燃和势垒电容之和

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第7题

晶体三极管有两个PN结，分别是（）和（），分三个区域（）区、（）区和（）。晶体管的三种工作状态是（）、（）和（）。

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第8题

PN结具有单向导电性，即电流只能是（）

A.从发射区流向集电区

B.从集电区流向发射区

C.从N区流向P区

D.从P区流向N区

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第9题

在直流输电线路中，输电线路的导线表面场强超过一定数值将产生电晕现象，电晕引起的空间电荷产生的电场称为（）。

A.标称电场

B.离子场

C.合成电场

D.工频电磁

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第10题

压电式加速度是（）。

A.结构型

B.适于测量直流信号

C.适于测量缓变信号

D.适于测量动态信号

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第11题

工作于截止区的三极管的两个PN结的偏置状态为()。

A.发射结正向偏置，集电结正向偏置

B.发射结反向偏置，集电结反向偏置

C.发射结正向偏置，集电结反向偏置

D.发射结反向偏置，集电结正向偏置

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