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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

关于半导体二极管的主要参数，下列说法不正确的是()。

A.最大整流电流：管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流

B.正向压降：二极管正向导通后的压降，一般情况，硅管的正向压降为0.2V左右

C.反向电流：指管子未击穿时的反向电流，这个值越小，管子的单向导电性越好

D.极间电容：PN结存在扩散电容和势垒电容，极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数，它是扩散点燃和势垒电容之和

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第1题

半导体二极管的主要参数有，①最大整流电流和极间电容②反向击穿电压和反向电流③正向压降和反向恢复时间④最长工作时间()。

A.①②

B.①②③

C.②③

D.①②③④

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第2题

利用半导体二极管的单向导电性，可组成（）电路。

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第3题

半导体整流电源中使用的整流二极管应选用()。

A.变容二极管

B.面接触型二极管

C.点接触型二极管

D.稳压二极管

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第4题

下列关于硅的说法不正确的是()。

A.硅是非金属元素，但它的单质是灰黑色有金属光泽的固体

B.硅的导电性能介于金属和绝缘体之间，是良好的半导体材料

C.在常温下，硅的化学性质活泼

D.硅是人类将太阳能转换为电能的常用材料

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第5题

下列关于知识产权与物权的说法中不正确是（）。

A.知识产权在独占性、专有性和排他性弱于物权

B.物权可通过事实占有方式实现，而知识产权则须仰仗法律的保障

C.当知识产权与物权发生冲突时，物权通常要让位于知识产权

D.知识产权的期限在法律上有明确规定，而物权的期限则与物的自然寿命竞合

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第6题

双极型半导体器件是()。

A.二极管

B.稳压管

C.场效应管

D.三级管

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第7题

光半导体元器件中，LD表示（）。

A.半导体激光器

B.发光二极管

C.光电二极管

D.雪崩二极管

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第8题

半导体二极管主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。（）

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第9题

半导体二极管在正向作用下处于导通状态，此时电阻很小，管压降也很小，所以可以看成短路，而在反向作用下二极管处于截止状态，此时反向电阻很大，可以看成开路。()

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第10题

下列有关物质的用途(括号内为用途)说法不正确的是()。

A.硅(半导体材料)

B.二氧化硅(制光导纤维)

C.水玻璃(黏合剂)

D.硅酸(作耐火材料)

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第11题

下列有关半导体与绝缘体在能带上的说法中，正确的是（）。

A.在绝缘体中，电子填满了所有的能带

B.在0K下，半导体中能带的填充情况与绝缘体是相同的

C.半导体中禁带宽度比较大

D.绝缘体的禁带宽度比较小

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