更多“电路如图所示，已知iL(0)=2A，在t=0时合上开关S，则…”相关的问题
第1题
三态输出与非门电路如图所示，
已知其输出端Y=0，则其输入端ABE的状态分别为()。
A.O，O，0
B.O，1，0
C.1，0，1
D.1，1，1
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第2题
三态输出与非门电路如图所示，已知其输出端Y=0，则其输入端ABE的状态分别为()。
A.O，O，0
B.O，1，0
C.1，0，1
D.1，1，1
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第3题
三态输出与非门电路如图所示，已知其输出端Y=0，则其输入端ABE的状态分别为()。
A.O，O，0
B.O，1，0
C.1，0，1
D.1，1，1
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第4题
三态输出与非门电路如图所示，已知其输出端Y=0，则其输入端ABE的状态分别为()。
A.O，O，0
B.O，1，0
C.1，0，1
D.1，1，1
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第5题
三态输出与非门电路如图所示，已知其输出端Y=0，则其输入端A，B，E的状态分别为()。
A.0，0，0
B.0，1，0
C.1，0，1
D.1，1，1
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第6题
已知某一正弦交流电流，在0.1s时，其瞬时值为2A，初相角为60°，有效值I为2A，求此电流的周期T和频率f。
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第7题
RLC并联电路中，已知电阻、电感、电容上的电流均为2A,则电路总电流为2A。()
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第8题
已知一交流电流，当t=0时的值为1A，初相位为30°，则这个交流电的有效值为：（）。
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第9题
硅片热氧化生长遵从如下公式：t+At=B(t+τ)，其中t为硅片经过t时B/A为线性速率系数间后SiO的生长厚度(μm);B为抛物线速率系数(μm(μm/h);τ为生成初始氧化层(同一工艺参数)所用的时间(h)。我们希望通过对一初始表面氧化层厚度为0的硅片进行一2段氧化过程：干氧(0.5h)—湿氧(2h)来生成厚的SiO薄膜作为隔离场氧层。干氧温度为1100℃，湿氧水汽氧化温度2为920℃。已知：920℃下水汽氧化相关工艺参数分别为：A=0.50μm，B=0.20μm/h;1100℃下干氧氧化相关工艺参数分别为：2A=0.09μm，B=0.03μm/h。试计算：a、0.5h内干氧生成的SiO厚度(μm)b、2h内湿氧水汽氧化所生成的SiO厚度(μm)c、整个氧化过程所消耗的硅层的厚度(μm)。
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第10题
如图所示电路中，已知R1=5Ω、R2=15Ω、U=80V，则U1=（）。
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第11题
运算放大器电路如图所示，该电路的电压放大倍数为()。
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