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(西安建筑科技大学2009年考研试题)防浪堤模型实验,长度比尺为40,测得浪压力为1 30N,求作用在原型

(西安建筑科技大学2009年考研试题)防浪堤模型实验,长度比尺为40,测得浪压力为1 30N,求作用在原型防浪堤上的浪压力。

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第1题
(西安建筑科技大学2009年考研试题)一圆筒静止时盛水深度H=0.225m,筒深度为0.3m,内径D=0.1m,若把

(西安建筑科技大学2009年考研试题)一圆筒静止时盛水深度H=0.225m,筒深度为0.3m,内径D=0.1m,若把圆筒绕中心轴作等角速度旋转,求不使水溢出的最大角速度。

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第2题
(西安建筑科技大学2010年考研试题)如图2—56所示,管路上安装一U形测压管,测得h1=30cm,h2=60cm,已

(西安建筑科技大学2010年考研试题)如图2—56所示,管路上安装一U形测压管,测得h1=30cm,h2=60cm,已知y为油(γ油=8.354kN/m3),γ1为水银,求A点的相对压强,绝对压强。

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第3题
(武汉科技大学2008年考研试题)有一浆砌块石的长形断面渠道。已知渠道长l=500m,底宽b=3.2m,渠中水

(武汉科技大学2008年考研试题)有一浆砌块石的长形断面渠道。已知渠道长l=500m,底宽b=3.2m,渠中水深h0=1.6m,粗糙系数n=0.025,通过的流量Q=6m3/s,试求:(1)沿程水头损失;(2)佛洛德数及临界水深。

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第4题
下列不属于建筑老八校的是()

A.东南大学

B.天津大学

C.西安建筑科技大学

D.北京大学

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第5题
(华南理工大学2009年考研试题)如图13—33所示选频电路中,已知R1=R2=250kΩ,C1=0.01μF,当输入端加上

(华南理工大学2009年考研试题)如图13—33所示选频电路中,已知R1=R2=250kΩ,C1=0.01μF,当输入端加上频率f=1000Hz的正弦交流电压

时,输出电压

与输入电压

同相位,试求电容C2是多少?

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第6题
(东北电力大学2009年考研试题)在如图4一126所示的直流电路中,N为无源线性电阻网络,电路参数:R1=1

(东北电力大学2009年考研试题)在如图4一126所示的直流电路中,N为无源线性电阻网络,电路参数:R1=1Ω,R2=2Ω,R3=3Ω,US1=18V。当US1作用US2短路时,测得U1=9V,U2=4V;当US1与US2共同作用时,测得U3=一30V,试求US2的数值。

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第7题
(华南理工大学2009年考研试题)如图9-59所示电路,已知R1=50Ω,L1=5mH,L2=20mH,C2=1μF,当外加电源的

(华南理工大学2009年考研试题)如图9-59所示电路,已知R1=50Ω,L1=5mH,L2=20mH,C2=1μF,当外加电源

的角频率ω=10000rad/s时,R1、L1支路与C1发生并联谐振,此时测得C1两端的电压有效值UC1=10V,试求:(1)C1和电源电压U(2)选择电容电压

作为参考相量,画出电路中各电压、电流的相量图。

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第8题
我司学历提升合作院校包含()

A.西南交通大学

B.成都信息工程大学

C.西安科技大学

D.西安工程大学

E.西北工业大学

F.西北大学

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第9题
各序列的图形如图所示,求下列卷积和

专业课习题解析课程信号与系统西安电子科技大学第三章习题

3.11、各序列的图形如图所示,求下列卷积和。

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第10题
西安电子科技大学芜湖研究院,成功试制国产化5G通讯芯片用氮化镓材料,该材料是()

A.超导体

B.导体

C.半导体

D.绝缘体

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第11题
已知描述系统的微分方程和初始状态如下,试求其零输入响应、零状态响应和全响应

专业课习题解析课程西安电子科技大学第一章信号与系统

已知描述系统的微分方程和初始状态如下,试求其零输入响应、零状态响应和全响应。

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