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[单选题]

N型半导体的形成是在本征半导体中掺入()。

A.三价元素

B.四价元素

C.五价元素

D.硅和锗

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第1题

N型半导体中掺入的是(),价元素的杂质,其多数载流子是()

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第2题
带电子多的杂质半导体称为()。

A.N型半导体

B.P型半导体

C.本征型半导体

D.电子型半导体

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第3题
在非本征半导体中,载流子(电子和空穴)的激发方式为()。

A.电

B.热

C.磁

D.掺杂

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第4题
某一半导体材料的禁带宽度为3.1电子伏特,则该半导体本征吸收的长波极限为()纳米。
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第5题
某一半导体材料的禁带宽度为2.6电子伏特,则该半导体本征吸收的长波极限为()纳米。
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第6题
随着温度的增高,本征半导体内会产生大量的()。

A.电子空穴对

B.自由电子

C.空穴

D.杂质

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第7题
N型半导体中多数载流子是()。

A.无法确定

B.自由电子

C.空穴

D.自由电子和空穴

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第8题
在放射性检测仪器中,最常用的检测器有三类,即()、闪烁型检测器、半导体检测器。
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第9题
在放射性监测中常用的盖革计数管,其检测器类型属于()。

A.电离型检测器

B.闪烁型检测器

C.半导体型检测器

D.其他类型

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第10题
P型半导体靠()导电,N型半导体靠()导电。
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第11题
半导体整流电源中使用的整流二极管应选用()。

A.变容二极管

B.面接触型二极管

C.点接触型二极管

D.稳压二极管

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